金融界2025年5月5日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“形成高纵横比开口的方法及形成高纵横比特征的方法”的专利，公开号CN119920753A，申请日期为2018年12月。

专利摘要显示，本申请案涉及形成高纵横比开口的方法及形成高纵横比特征的方法。所述方法包括在低于约0℃的温度下移除电介质材料的一部分以在所述电介质材料中形成至少一个开口。所述至少一个开口包括大于约30:1的纵横比。在低于约0℃的温度下在所述至少一个开口中及所述电介质材料的侧壁上形成保护材料。所述半导体装置包括电介质材料堆叠，所述电介质材料堆叠包括交替电介质材料的至少约80个层体。所述电介质材料堆叠具有基本上垂直侧壁及所述电介质材料堆叠内的至少一个特征，所述至少一个特征包括至少约30:1的纵横比。

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